ON Semiconductor NTMFD4C50NT3G
.JPG)
- 제조업체 부품 번호
- NTMFD4C50NT3G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NTMFD4C50NT3G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 899.45860
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NTMFD4C50NT3G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NTMFD4C50NT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFD4C50NT3G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NTMFD4C50NT3G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NTMFD4C50NT3G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFD4C50NT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | - | |
| FET 특징 | - | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL 이중 비대칭) | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFD4C50NT3G | |
| 관련 링크 | NTMFD4, NTMFD4C50NT3G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NTMFD4C50NT3G 의 관련 제품
 | AVS227M25F24B-F | 220µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1.2 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | AVS227M25F24B-F.pdf | |
 | VJ0402D2R4DXAAC | 2.4pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R4DXAAC.pdf | |
 | 0337900.PX2S | SHUNT MICRO3 BLADE 32V AG 2000 P | 0337900.PX2S.pdf | |
 | ASTMHTA-125.000MHZ-AK-E-T | 125MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTA-125.000MHZ-AK-E-T.pdf | |
 | CEDM7001VL TR | MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883 | CEDM7001VL TR.pdf | |
 | DRA125-102-R | 1mH Shielded Wirewound Inductor 552mA 1.78 Ohm Nonstandard | DRA125-102-R.pdf | |
| PG0087.684NLT | 680µH Shielded Inductor 100mA 9.19 Ohm Max Nonstandard | PG0087.684NLT.pdf | |
 | MCR100JZHJ223 | RES SMD 22K OHM 5% 1W 2512 | MCR100JZHJ223.pdf | |
.jpg) | RT1206FRD071K18L | RES SMD 1.18K OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRD071K18L.pdf | |
 | RN73C1E787RBTG | RES SMD 787 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RN73C1E787RBTG.pdf | |
| P51-100-S-AA-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-S-AA-I12-4.5V-000-000.pdf | |
 | DS1621V+T&R | SENSOR TEMPERATURE I2C 8SOIC | DS1621V+T&R.pdf |
