ON Semiconductor NTMFS4983NFT1G
- 제조업체 부품 번호
- NTMFS4983NFT1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 160A SO8FL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NTMFS4983NFT1G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 444.78720
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NTMFS4983NFT1G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NTMFS4983NFT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFS4983NFT1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NTMFS4983NFT1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NTMFS4983NFT1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4983NFT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NTMFS4983NF | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Capacity Expansion 21/May/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Ta), 106A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47.9nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3250pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | NTMFS4983NFT1G-ND NTMFS4983NFT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4983NFT1G | |
| 관련 링크 | NTMFS49, NTMFS4983NFT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NTMFS4983NFT1G 의 관련 제품
 | K121J15C0GK5TL2 | 120pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K121J15C0GK5TL2.pdf | |
 | ERB21B5C2E5R6CDX1L | 5.6pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | ERB21B5C2E5R6CDX1L.pdf | |
 | PME271YA4100MR30 | 1000pF Film Capacitor 300V 1000V (1kV) Paper, Metallized Radial 0.531" L x 0.154" W (13.50mm x 3.90mm) | PME271YA4100MR30.pdf | |
 | KP1836327125 | 0.027µF Film Capacitor 400V 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP) Radial 1.220" L x 0.433" W (31.00mm x 11.00mm) | KP1836327125.pdf | |
 | T350B155K035AS | 1.5µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 35V Radial 6 Ohm 0.177" Dia (4.50mm) | T350B155K035AS.pdf | |
 | SG-531P 10.0000MC:ROHS | 10MHz CMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 5V 23mA Enable/Disable | SG-531P 10.0000MC:ROHS.pdf | |
 | EGP30D-E3/73 | DIODE GEN PURP 200V 3A GP20 | EGP30D-E3/73.pdf | |
 | 744770147 | 47µH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 100 mOhm Max Nonstandard | 744770147.pdf | |
 | IL612A-3E | General Purpose Digital Isolator 2500Vrms 2 Channel 10Mbps 15kV/µs CMTI 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | IL612A-3E.pdf | |
| EL816(S1)(D)(TA)-V | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SMD | EL816(S1)(D)(TA)-V.pdf | |
| AA1206FR-072M15L | RES SMD 2.15M OHM 1% 1/4W 1206 | AA1206FR-072M15L.pdf | |
 | H81K24BDA | RES 1.24K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H81K24BDA.pdf |
