창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4C05NT1G-001 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NTMFS4C05N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.9A(Ta), 78A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1972pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 770mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NTMFS4C05NT1G-001 | |
관련 링크 | NTMFS4C0, NTMFS4C05NT1G-001 Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
251R15S120JV4E | 12pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.080" L x 0.050" W(2.03mm x 1.27mm) | 251R15S120JV4E.pdf | ||
C2012JB2A682M085AA | 6800pF 100V 세라믹 커패시터 JB 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012JB2A682M085AA.pdf | ||
HSZ151MAQBRCKR | 150pF 500V 세라믹 커패시터 Y5T 방사형, 디스크 0.236" Dia(6.00mm) | HSZ151MAQBRCKR.pdf | ||
VJ0402D1R9DXXAC | 1.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R9DXXAC.pdf | ||
416F36012IAT | 36MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36012IAT.pdf | ||
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HM66A-0318180MLF13 | 18µH Shielded Wirewound Inductor 400mA 715 mOhm Max Nonstandard | HM66A-0318180MLF13.pdf | ||
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RCP0505W18R0JEA | RES SMD 18 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505W18R0JEA.pdf | ||
ROX5SG22R | RES 22 OHM 5W 2% AXIAL | ROX5SG22R.pdf |