창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4C06NT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NTMFS4C06N | |
PCN 설계/사양 | Enlarged Clip Implementation 15/Jan/2015 Wafer Fab Chg 31/Dec/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Addition 17/Mar/2015 Wafer Fab Site Addition 18/Jun/2015 Site Chg 18/Dec/2015 Assembly/Test Site Add 21/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta), 69A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1683pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 770mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | NTMFS4C06NT1G-ND NTMFS4C06NT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NTMFS4C06NT1G | |
관련 링크 | NTMFS4, NTMFS4C06NT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | AQ12EM6R2BAJWE | 6.2pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EM6R2BAJWE.pdf | |
![]() | MKP385347063JC02R0 | 0.047µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | MKP385347063JC02R0.pdf | |
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