창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4C08NT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NTMFS4C08N | |
PCN 설계/사양 | Enlarged Clip Implementation 15/Jan/2015 Wafer Fab Chg 31/Dec/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Addition 17/Mar/2015 Wafer Fab Site Addition 18/Jun/2015 Site Chg 18/Dec/2015 Assembly/Test Site Add 21/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta), 52A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.8m옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18.2nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1113pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 760mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NTMFS4C08NT3G | |
관련 링크 | NTMFS4, NTMFS4C08NT3G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | C1005JB1E225K050BC | 2.2µF 25V 세라믹 커패시터 JB 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005JB1E225K050BC.pdf | |
![]() | VJ1812A121JBCAT4X | 120pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A121JBCAT4X.pdf | |
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![]() | MAX2669EWT+T | RF Amplifier IC GPS/GNSS 1575.42MHz 6-WLP (1.27x0.87) | MAX2669EWT+T.pdf | |
![]() | RX5002 | - RF Receiver ASK, OOK 418MHz -109dBm 115.2kbps PCB, Surface Mount SM-20L | RX5002.pdf | |
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