ON Semiconductor NTMFS4C09NAT1G
- 제조업체 부품 번호
- NTMFS4C09NAT1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NTMFS4C09NAT1G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 268.68433
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NTMFS4C09NAT1G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NTMFS4C09NAT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFS4C09NAT1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NTMFS4C09NAT1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NTMFS4C09NAT1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4C09NAT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | Computing Solutions | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | * | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta), 52A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.8m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.9nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1252pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 760mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | * | |
| 패키지/케이스 | * | |
| 공급 장치 패키지 | * | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4C09NAT1G | |
| 관련 링크 | NTMFS4C, NTMFS4C09NAT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NTMFS4C09NAT1G 의 관련 제품
| EEU-FC1E820B | 82µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | EEU-FC1E820B.pdf | |
 | 08051A330JAT2A | 33pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08051A330JAT2A.pdf | |
| SIT9003AC-23-18DD-20.00000T | OSC XO 1.8V 20MHZ SD 0.50% | SIT9003AC-23-18DD-20.00000T.pdf | |
 | SBR10200CTB | DIODE ARRAY SBR 200V 5A D2PAK | SBR10200CTB.pdf | |
 | BZG05C5V6-E3-TR | DIODE ZENER 5.6V 1.25W DO214AC | BZG05C5V6-E3-TR.pdf | |
 | B82498F3689K | 6.8nH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 50 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | B82498F3689K.pdf | |
 | 1267AY-100M=P3 | 10µH Shielded Wirewound Inductor 3.3A 39.6 mOhm Max Nonstandard | 1267AY-100M=P3.pdf | |
.jpg) | RC1005F3R01CS | RES SMD 3.01 OHM 1% 1/16W 0402 | RC1005F3R01CS.pdf | |
 | MCS04020C3601FE000 | RES SMD 3.6K OHM 1% 1/10W 0402 | MCS04020C3601FE000.pdf | |
.jpg) | RT0805CRE0727RL | RES SMD 27 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRE0727RL.pdf | |
 | MMB02070C4993FB700 | RES SMD 499K OHM 1% 1W 0207 | MMB02070C4993FB700.pdf | |
| 753125131AP | RES NTWRK 20 RES MULT OHM 12SRT | 753125131AP.pdf |
