창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4H01NFT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NTMFS4H01NF | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 54A(Ta), 334A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.7m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 82nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5538pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NTMFS4H01NFT3G | |
관련 링크 | NTMFS4H, NTMFS4H01NFT3G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | 0508YC224MAT2W | 0.22µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0508(1220 미터법) 0.050" L x 0.079" W(1.27mm x 2.00mm) | 0508YC224MAT2W.pdf | |
![]() | BFC230341394 | 0.39µF Film Capacitor 63V 250V Polyester, Metallized Radial 0.492" L x 0.193" W (12.50mm x 4.90mm) | BFC230341394.pdf | |
![]() | F339X136848KIP2T0 | 0.068µF Film Capacitor 480V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | F339X136848KIP2T0.pdf | |
![]() | ECQ-P1H152FZW | 1500pF Film Capacitor 50V Polypropylene (PP) Radial 0.335" L x 0.177" W (8.50mm x 4.50mm) | ECQ-P1H152FZW.pdf | |
![]() | ECQ-P1H183FZW | 0.018µF Film Capacitor 50V Polypropylene (PP) Radial 0.472" L x 0.217" W (12.00mm x 5.50mm) | ECQ-P1H183FZW.pdf | |
784774212 | 120µH Unshielded Wirewound Inductor 490mA 930 mOhm Max Nonstandard | 784774212.pdf | ||
DD1274AS-H-5R6N=P3 | 5.6µH Shielded Wirewound Inductor 6.3A 18.3 mOhm Max Nonstandard | DD1274AS-H-5R6N=P3.pdf | ||
![]() | CMF65100K00FKR6 | RES 100K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF65100K00FKR6.pdf | |
![]() | MS4800B-14-0920-10X-10R | SAFETY LIGHT CURTAIN | MS4800B-14-0920-10X-10R.pdf |