창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4H01NT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NTMFS4H01N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 54A(Ta), 334A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.7m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 85nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5693pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NTMFS4H01NT3G | |
관련 링크 | NTMFS4, NTMFS4H01NT3G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | VJ0402D110GLBAJ | 11pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D110GLBAJ.pdf | |
![]() | GRM1885C1H1R0BZ01J | 1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1H1R0BZ01J.pdf | |
TH3D336M016C0600 | 33µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 600 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TH3D336M016C0600.pdf | ||
![]() | SIT9002AI-18N33DD | 1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 84mA | SIT9002AI-18N33DD.pdf | |
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![]() | 4302-004 | 5000pF Feed Through Capacitor 100V 10A Axial | 4302-004.pdf | |
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