ON Semiconductor NTMFS4H02NFT1G
- 제조업체 부품 번호
- NTMFS4H02NFT1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NTMFS4H02NFT1G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,508.10533
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NTMFS4H02NFT1G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NTMFS4H02NFT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFS4H02NFT1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NTMFS4H02NFT1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NTMFS4H02NFT1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMFS4H02NFT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NTMFS4H02NF | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37A(Ta), 193A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40.9nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2652pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 3.13W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NTMFS4H02NFT1G | |
| 관련 링크 | NTMFS4H, NTMFS4H02NFT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NTMFS4H02NFT1G 의 관련 제품
.85mm.jpg) | GRM2196T2A3R5CD01D | 3.5pF 100V 세라믹 커패시터 T2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2196T2A3R5CD01D.pdf | |
 | TB-11.0592MDD-T | 11.0592MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TB-11.0592MDD-T.pdf | |
 | ASTMLPD-66.666MHZ-LJ-E-T | 66.666MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 7.5mA Enable/Disable | ASTMLPD-66.666MHZ-LJ-E-T.pdf | |
 | FQA9N90C_F109 | MOSFET N-CH 900V 9A TO-3P | FQA9N90C_F109.pdf | |
 | 5500.2635.01 | FMAB NEO FLTR 1PH 1ST 10A 250VAC | 5500.2635.01.pdf | |
 | CVH252009-3R3M | 3.3µH Shielded Multilayer Inductor 1.2A 100 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | CVH252009-3R3M.pdf | |
| PD105R-183K | 18µH Unshielded Wirewound Inductor 2.15A 90 mOhm Max Nonstandard | PD105R-183K.pdf | |
 | 80304C | 150µH Unshielded Toroidal Inductor 3.5A 90 mOhm Max Nonstandard | 80304C.pdf | |
 | HCPL-4504-560E | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 8-DIP Gull Wing | HCPL-4504-560E.pdf | |
.jpg) | CR0603-FX-3403ELF | RES SMD 340K OHM 1% 1/10W 0603 | CR0603-FX-3403ELF.pdf | |
 | RG1005N-1622-W-T5 | RES SMD 16.2K OHM 1/16W 0402 | RG1005N-1622-W-T5.pdf | |
 | HMC536MS8GTR | RF Switch IC General Purpose SPDT 6GHz 50 Ohm 8-MSG | HMC536MS8GTR.pdf |
