창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS5C410NLT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NTMFS5C410NL | |
PCN 설계/사양 | T6 40V/60V Datasheet Update 30/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Ta), 302A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.9m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 143nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8862pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NTMFS5C410NLT1G | |
관련 링크 | NTMFS5C, NTMFS5C410NLT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
CL21C6R8DBANNNC | 6.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C6R8DBANNNC.pdf | ||
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416F5201XCDT | 52MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F5201XCDT.pdf | ||
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PLY17BN5620R8B2B | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 800mA | PLY17BN5620R8B2B.pdf | ||
AC0805FR-0728R7L | RES SMD 28.7 OHM 1% 1/8W 0805 | AC0805FR-0728R7L.pdf | ||
RE1206FRE0782K5L | RES SMD 82.5K OHM 1% 1/4W 1206 | RE1206FRE0782K5L.pdf | ||
RT0805CRD071K5L | RES SMD 1.5K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRD071K5L.pdf | ||
RG1608V-2940-P-T1 | RES SMD 294 OHM 0.02% 1/10W 0603 | RG1608V-2940-P-T1.pdf | ||
Y40455K00000Q0W | RES SMD 5K OHM 0.02% 1/20W 0505 | Y40455K00000Q0W.pdf |