창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NTMFS5C423NLT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NTMFS5C423NL | |
주요제품 | NTMFS5C4xx and NVMFS5C4xx 40 V Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3100pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 3.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | NTMFS5C423NLT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NTMFS5C423NLT1G | |
관련 링크 | NTMFS5C, NTMFS5C423NLT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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H810KFDA | RES 10.0K OHM 1/4W 1% AXIAL | H810KFDA.pdf | ||
CP00031R000JB14 | RES 1 OHM 3W 5% AXIAL | CP00031R000JB14.pdf | ||
OP550D | PHOTOTRANS SILICON NPN SIDE LOOK | OP550D.pdf |