ON Semiconductor NTMS10P02R2G
- 제조업체 부품 번호
- NTMS10P02R2G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NTMS10P02R2G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 689.12363
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NTMS10P02R2G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NTMS10P02R2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMS10P02R2G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NTMS10P02R2G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NTMS10P02R2G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NTMS10P02R2G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NTMS10P02R2 | |
| PCN 설계/사양 | Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 10A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3640pF @ 16V | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | NTMS10P02R2GOS NTMS10P02R2GOS-ND NTMS10P02R2GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NTMS10P02R2G | |
| 관련 링크 | NTMS10, NTMS10P02R2G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NTMS10P02R2G 의 관련 제품
 | GRM32DR71E475KA61L | 4.7µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | GRM32DR71E475KA61L.pdf | |
 | SR155C104KARTR1 | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR155C104KARTR1.pdf | |
 | MKP1840510634V | 1µF Film Capacitor Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.512" W (31.00mm x 13.00mm) | MKP1840510634V.pdf | |
| C3391-66.000 | 66MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 30mA Enable/Disable | C3391-66.000.pdf | |
| SIT9121AI-1BF-33E74.250000Y | OSC XO 3.3V 74.25MHZ | SIT9121AI-1BF-33E74.250000Y.pdf | |
 | 1N3310RB | DIODE ZENER 11V 50W DO5 | 1N3310RB.pdf | |
 | VLF504012MT-4R7M | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 1.83A 120 mOhm Max Nonstandard | VLF504012MT-4R7M.pdf | |
 | AC0805FR-07357KL | RES SMD 357K OHM 1% 1/8W 0805 | AC0805FR-07357KL.pdf | |
.jpg) | AC0201FR-07124KL | RES SMD 124K OHM 1% 1/20W 0201 | AC0201FR-07124KL.pdf | |
.jpg) | RT0603WRD0780K6L | RES SMD 80.6K OHM 1/10W 0603 | RT0603WRD0780K6L.pdf | |
 | RSMF12JB3R90 | RES MO 1/2W 3.9 OHM 5% AXIAL | RSMF12JB3R90.pdf | |
 | DPX202690DT-4149A2 | RF Diplexor 704MHz ~ 960MHz / 1.71GHz ~ 2.69GHz 0805 (2012 Metric) | DPX202690DT-4149A2.pdf |
