ON Semiconductor NTTFS4929NTAG
- 제조업체 부품 번호
- NTTFS4929NTAG
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NTTFS4929NTAG 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 322.47067
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NTTFS4929NTAG, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NTTFS4929NTAG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTTFS4929NTAG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NTTFS4929NTAG 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NTTFS4929NTAG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NTTFS4929NTAG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NTTFS4929N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.6A(Ta), 34A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 920pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 810mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NTTFS4929NTAG | |
| 관련 링크 | NTTFS4, NTTFS4929NTAG Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NTTFS4929NTAG 의 관련 제품
-2.jpg) | 1808GA181KAT1A | 180pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808GA181KAT1A.pdf | |
 | HFE221MBFEF0KR | 220pF 6000V(6kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | HFE221MBFEF0KR.pdf | |
 | 416F300X3ISR | 30MHz ±15ppm 수정 시리즈 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F300X3ISR.pdf | |
 | TA-70.000MDD-T | 70MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TA-70.000MDD-T.pdf | |
 | MXO45HST-3I-50M0000 | 50MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 5V 60mA Enable/Disable | MXO45HST-3I-50M0000.pdf | |
 | ASTMHTA-27.000MHZ-AK-E-T | 27MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTA-27.000MHZ-AK-E-T.pdf | |
 | ASPI-0804T-220M-T | 22µH Unshielded Wirewound Inductor 2.6A 85 mOhm Max Nonstandard | ASPI-0804T-220M-T.pdf | |
 | ISC1812EBR33K | 330nH Shielded Wirewound Inductor 418mA 400 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812EBR33K.pdf | |
 | ERJ-T06J620V | RES SMD 62 OHM 5% 1/4W 0805 | ERJ-T06J620V.pdf | |
.jpg) | AT1206DRD0795K3L | RES SMD 95.3K OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRD0795K3L.pdf | |
 | CFR-12JR-52-360K | RES 360K OHM 1/6W 5% AXIAL | CFR-12JR-52-360K.pdf | |
| CW01082R00JE123 | RES 82 OHM 13W 5% AXIAL | CW01082R00JE123.pdf |
