창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NUS5530MNR2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NUS5530MN | |
PCN 조립/원산지 | DFN Pkg Filters 18/Jun/2013 | |
PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터 - 특수용 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN, P-Chan | |
응용 제품 | 범용 | |
전압 - 정격 | 35V PNP, 20V P-Chan | |
정격 전류 | 2A PNP, 3.9A P-Chan | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-VDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 8-DFN-EP(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NUS5530MNR2G-ND NUS5530MNR2GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NUS5530MNR2G | |
관련 링크 | NUS553, NUS5530MNR2G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | IPD65R660CFDBTMA1 | MOSFET N-CH 650V 6A TO252 | IPD65R660CFDBTMA1.pdf | |
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![]() | B82412A1222J | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 270mA 650 mOhm Max 2-SMD | B82412A1222J.pdf | |
![]() | 103-150M | 15nH Unshielded Inductor 1.11A 78 mOhm Max Nonstandard | 103-150M.pdf | |
![]() | AC0805FR-0768R1L | RES SMD 68.1 OHM 1% 1/8W 0805 | AC0805FR-0768R1L.pdf | |
![]() | ERJ-S02F1050X | RES SMD 105 OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-S02F1050X.pdf | |
![]() | CPF1206B7R15E1 | RES SMD 7.15 OHM 0.1% 1/8W 1206 | CPF1206B7R15E1.pdf | |
![]() | CRCW06031K40FKEB | RES SMD 1.4K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06031K40FKEB.pdf | |
![]() | PPT0010DWF2VB | Pressure Sensor ±10 PSI (±68.95 kPa) Differential Male - 0.13" (3.18mm) Tube, Filter 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT0010DWF2VB.pdf |