창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVB60N06T4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
표준 포장 | 800 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 81nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3220pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.4W | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NVB60N06T4G | |
관련 링크 | NVB60, NVB60N06T4G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
M15G479D2 | 4.7pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.130" W(3.81mm x 3.30mm) | M15G479D2.pdf | ||
ABLS2-33.000MHZ-D4YF-T | 33MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS2-33.000MHZ-D4YF-T.pdf | ||
US1A-M3/61T | DIODE 1A 50V 50NS DO-214AC | US1A-M3/61T.pdf | ||
CF2-17.5*9.5*28.5 | Solid Free Hanging Ferrite Core 172 Ohm @ 100MHz ID 0.374" Dia (9.50mm) OD 0.688" Dia (17.50mm) Length 1.122" (28.50mm) | CF2-17.5*9.5*28.5.pdf | ||
PM0603-27NJ-RC | 27nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 220 mOhm 0603 (1608 Metric) | PM0603-27NJ-RC.pdf | ||
SP1008-122J | 1.2µH Shielded Wirewound Inductor 671mA 252 mOhm Max Nonstandard | SP1008-122J.pdf | ||
AF1210JR-071K8L | RES SMD 1.8K OHM 5% 1/2W 1210 | AF1210JR-071K8L.pdf | ||
RT1206CRB07100RL | RES SMD 100 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRB07100RL.pdf | ||
RT2010DKE0778K7L | RES SMD 78.7K OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE0778K7L.pdf | ||
RG3216V-1150-D-T5 | RES SMD 115 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216V-1150-D-T5.pdf | ||
Y1172500R000B9W | RES SMD 500 OHM 0.1% 1/10W 0805 | Y1172500R000B9W.pdf | ||
RNMF14FTD82K0 | RES 82K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNMF14FTD82K0.pdf |