창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVD5490NLT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NVD5490NL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta), 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 64m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 365pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.4W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NVD5490NLT4G | |
관련 링크 | NVD549, NVD5490NLT4G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
![]() | VJ1812A822JBBAT4X | 8200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A822JBBAT4X.pdf | |
![]() | BS170P | MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3 | BS170P.pdf | |
![]() | IRF9630SPBF | MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK | IRF9630SPBF.pdf | |
![]() | S0603-5N6J1E | 5.6nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 190 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-5N6J1E.pdf | |
![]() | KTR25JZPF47R0 | RES SMD 47 OHM 1% 1/3W 1210 | KTR25JZPF47R0.pdf | |
![]() | RC1206FR-076M81L | RES SMD 6.81M OHM 1% 1/4W 1206 | RC1206FR-076M81L.pdf | |
![]() | LTR50UZPJ222 | RES SMD 2.2K OHM 1W 2010 WIDE | LTR50UZPJ222.pdf | |
![]() | RT2010BKE0749K9L | RES SMD 49.9K OHM 0.1% 1/2W 2010 | RT2010BKE0749K9L.pdf | |
![]() | CAT16-271J4LF | RES ARRAY 4 RES 270 OHM 1206 | CAT16-271J4LF.pdf | |
![]() | CMF601K5800BHEB | RES 1.58K OHM 1W .1% AXIAL | CMF601K5800BHEB.pdf | |
![]() | CMF5013R500BHBF | RES 13.5 OHM 1/4W .1% AXIAL | CMF5013R500BHBF.pdf | |
![]() | E-TA2012 T 4DB N8 | RF Attenuator 4dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 4DB N8.pdf |