ON Semiconductor NVD5862NT4G

NVD5862NT4G
제조업체 부품 번호
NVD5862NT4G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4
Datesheet 다운로드
다운로드
NVD5862NT4G 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 893.85440
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of NVD5862NT4G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NVD5862NT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVD5862NT4G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
NVD5862NT4G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NVD5862NT4G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NVD5862NT4G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서NVD5862N
PCN 설계/사양Mold Compound Update 25/Feb/2015
Mold Compound Revision 24/Apr/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C18A(Ta), 98A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5.7m옴 @ 48A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs82nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds6000pF @ 25V
전력 - 최대4.1W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK-3
표준 포장 2,500
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)NVD5862NT4G
관련 링크NVD58, NVD5862NT4G Datasheet, ON Semiconductor Distributor
NVD5862NT4G 의 관련 제품
3300µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C UPM1V332MHD.pdf
FUSE CRTRDGE 1.5A 1KVAC NON STD HVA-1-1/2.pdf
FUSE GLASS 8A 250VAC 3AB 3AG AGC-V-8-R.pdf
SIDACTOR SYM 420V 150A MS013 P5106UALRP.pdf
DIODE GEN PURP 400V 3A DO15 STTH3R04QRL.pdf
6.8µH Shielded Wirewound Inductor 3A 31 mOhm Nonstandard ASPI-6045S-6R8M-T.pdf
RES SMD 15.4 OHM 1% 3/4W 1812 ERJ-S12F15R4U.pdf
RES SMD 0.2 OHM 0.1% 1W 2512 Y14870R20000B9W.pdf
RES ARRAY 9 RES 680K OHM 10SIP 4310R-101-684.pdf
RES 31.6 OHM 1/2W 1% AXIAL CMF5531R600FKR8.pdf
F3SJ-A0270P30 F3SJ-A0270P30.pdf
MANUAL RESET THERMOSTAT 2455RM 00210646.pdf