ON Semiconductor NVF3055L108T3G
- 제조업체 부품 번호
- NVF3055L108T3G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NVF3055L108T3G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 338.59425
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NVF3055L108T3G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NVF3055L108T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVF3055L108T3G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NVF3055L108T3G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NVF3055L108T3G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NVF3055L108T3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| PCN 설계/사양 | Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 1.5A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NVF3055L108T3G | |
| 관련 링크 | NVF3055, NVF3055L108T3G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NVF3055L108T3G 의 관련 제품
 | MAL215957471E3 | 470µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 210 mOhm 5000 Hrs @ 105°C | MAL215957471E3.pdf | |
 | VY1222M47Y5UQ6KL0 | 2200pF 760VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.472" Dia(12.00mm) | VY1222M47Y5UQ6KL0.pdf | |
 | GQM1555C2D9R8WB01D | 9.8pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GQM1555C2D9R8WB01D.pdf | |
 | VJ0805D330MLXAC | 33pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D330MLXAC.pdf | |
 | 185153J250RAB-F | 0.015µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm) | 185153J250RAB-F.pdf | |
 | P0720ECLAP | SIDACTOR BI 65V 400A TO-92 | P0720ECLAP.pdf | |
 | NX2016SA-24.9231M-CHP-CZS-9 | 24.9231MHz ±15ppm 수정 8pF 80옴 -40°C ~ 110°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | NX2016SA-24.9231M-CHP-CZS-9.pdf | |
 | MMSZ5251C-G3-08 | DIODE ZENER 22V 500MW SOD123 | MMSZ5251C-G3-08.pdf | |
 | IVS1-5V0-5V0-60-A | IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY | IVS1-5V0-5V0-60-A.pdf | |
.jpg) | RC2512FK-07107RL | RES SMD 107 OHM 1% 1W 2512 | RC2512FK-07107RL.pdf | |
 | BGU6009/N2X | RF Amplifier IC Galileo, GLONASS, GPS 1.559GHz ~ 1.61GHz 6-XSON, SOT1230 (1.1x0.9) | BGU6009/N2X.pdf | |
 | TRM-900-TT | RF TXRX MODULE ISM<1GHZ | TRM-900-TT.pdf |
