ON Semiconductor NVF6P02T3G
- 제조업체 부품 번호
- NVF6P02T3G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NVF6P02T3G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 407.72160
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NVF6P02T3G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NVF6P02T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVF6P02T3G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NVF6P02T3G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NVF6P02T3G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NVF6P02T3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NTF6P02, NVF6P02 | |
| PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 6A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 16V | |
| 전력 - 최대 | 8.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223(TO-261) | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | NVF6P02T3G-ND NVF6P02T3GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NVF6P02T3G | |
| 관련 링크 | NVF6P, NVF6P02T3G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NVF6P02T3G 의 관련 제품
 | 25MS710MEFCTA4X7 | 10µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | 25MS710MEFCTA4X7.pdf | |
 | T550B256K100TH4251 | 25µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 100V Axial 190 mOhm 0.279" Dia x 0.650" L (7.09mm x 16.51mm) | T550B256K100TH4251.pdf | |
-2.50-mm-x-2.00-mm.jpg) | DSC1003DL2-025.0000T | 25MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 ~ 3.3V 6mA Standby (Power Down) | DSC1003DL2-025.0000T.pdf | |
 | MBR15U60-TP | DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO277 | MBR15U60-TP.pdf | |
 | US1K-E3/5AT | DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC | US1K-E3/5AT.pdf | |
 | MP6-2Q-1L-1L-1S-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP6-2Q-1L-1L-1S-00.pdf | |
 | MLG0603P2N0CTD25 | 2nH Unshielded Multilayer Inductor 600mA 100 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P2N0CTD25.pdf | |
 | SC53-101 | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 560mA 920 mOhm Max Nonstandard | SC53-101.pdf | |
 | TXD2SA-1.5V-3-Z | TX-D RELAY2 FORM C 1.5V | TXD2SA-1.5V-3-Z.pdf | |
.jpg) | RT1210CRE07953KL | RES SMD 953K OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRE07953KL.pdf | |
 | CW0102K050KE123 | RES 2.05K OHM 13W 10% AXIAL | CW0102K050KE123.pdf | |
| P51-750-A-F-P-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 750 PSI (5171.07 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-750-A-F-P-4.5V-000-000.pdf |
