창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVJD4401NT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NTJD4401N | |
PCN 설계/사양 | Green Compound Update 04/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 630mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 375m옴 @ 630mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 46pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 270mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NVJD4401NT1G | |
관련 링크 | NVJD44, NVJD4401NT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
![]() | CM309B66.6666MABJT | 66.6666MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SOJ, 2.85mm 피치 | CM309B66.6666MABJT.pdf | |
![]() | MBRF30H150CTG | DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220F | MBRF30H150CTG.pdf | |
![]() | SM75 | DIODE GEN PURP 7.5KV 300MA AXIAL | SM75.pdf | |
![]() | IXTP270N04T4 | MOSFET N-CH 40V 270A | IXTP270N04T4.pdf | |
CB2012T100KR | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 520mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | CB2012T100KR.pdf | ||
![]() | AIUR-07-150K | 15µH Unshielded Wirewound Inductor 930mA 130 mOhm Max Radial | AIUR-07-150K.pdf | |
![]() | RT0805BRD07665RL | RES SMD 665 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRD07665RL.pdf | |
![]() | CR1206-JW-561ELF | RES SMD 560 OHM 5% 1/4W 1206 | CR1206-JW-561ELF.pdf | |
![]() | CRGH0805F2K32 | RES SMD 2.32K OHM 1% 1/3W 0805 | CRGH0805F2K32.pdf | |
![]() | RT1206FRE071K65L | RES SMD 1.65K OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRE071K65L.pdf | |
![]() | ERG-3SJ513 | RES 51K OHM 3W 5% AXIAL | ERG-3SJ513.pdf | |
![]() | Y00071K22912T9L | RES 1.22912K OHM 0.6W 0.01% RAD | Y00071K22912T9L.pdf |