ON Semiconductor NVMFD5485NLT1G
- 제조업체 부품 번호
- NVMFD5485NLT1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NVMFD5485NLT1G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 974.57800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NVMFD5485NLT1G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NVMFD5485NLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFD5485NLT1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NVMFD5485NLT1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NVMFD5485NLT1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFD5485NLT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NVMFD5485NL(WF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.3A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 44m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 560pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.9W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL 이중 비대칭) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFD5485NLT1G | |
| 관련 링크 | NVMFD54, NVMFD5485NLT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NVMFD5485NLT1G 의 관련 제품
 | 420MXH120MEFCSN22X25 | 120µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 105°C | 420MXH120MEFCSN22X25.pdf | |
 | CBR08C908C1GAC | 0.90pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C908C1GAC.pdf | |
 | VJ0805D681KLAAT | 680pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D681KLAAT.pdf | |
 | 0508ZC104KAT2U | 0.10µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0508(1220 미터법) 0.050" L x 0.079" W(1.27mm x 2.00mm) | 0508ZC104KAT2U.pdf | |
 | CM315D32768DZYT | 32.768kHz ±20ppm 수정 7pF 70k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | CM315D32768DZYT.pdf | |
 | BZT55B68-GS08 | DIODE ZENER 68V 500MW SOD80 | BZT55B68-GS08.pdf | |
 | PG0936.183NL | 18µH Unshielded Wirewound Inductor 9.8A 13.8 mOhm Max Nonstandard | PG0936.183NL.pdf | |
 | ISC1812RQ391K | 390µH Shielded Wirewound Inductor 92mA 8.2 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812RQ391K.pdf | |
 | RR1220P-304-D | RES SMD 300K OHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220P-304-D.pdf | |
| CRCW1218120KJNEK | RES SMD 120K OHM 5% 1W 1218 | CRCW1218120KJNEK.pdf | |
 | MRS25000C6989FRP00 | RES 69.8 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C6989FRP00.pdf | |
| Y0716100R000B0L | RES 100 OHM .3W .1% RADIAL | Y0716100R000B0L.pdf |
