ON Semiconductor NVMFD5852NLWFT1G
- 제조업체 부품 번호
- NVMFD5852NLWFT1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NVMFD5852NLWFT1G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,081.71400
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NVMFD5852NLWFT1G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NVMFD5852NLWFT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFD5852NLWFT1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NVMFD5852NLWFT1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NVMFD5852NLWFT1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFD5852NLWFT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NVMFD5852NL(WF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.9m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL 이중 비대칭) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFD5852NLWFT1G | |
| 관련 링크 | NVMFD585, NVMFD5852NLWFT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NVMFD5852NLWFT1G 의 관련 제품
 | MAL225621392E3 | 3900µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 119 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | MAL225621392E3.pdf | |
 | SA055E104ZARC7 | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 Z5U 축방향 0.091" Dia x 0.118" L(2.30mm x 3.00mm) | SA055E104ZARC7.pdf | |
 | R76QD0470SE00J | 470pF Film Capacitor 400V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.118" W (10.00mm x 3.00mm) | R76QD0470SE00J.pdf | |
 | 416F480XXATR | 48MHz ±15ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F480XXATR.pdf | |
| 416F50035CTR | 50MHz ±30ppm 수정 6pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50035CTR.pdf | |
 | 7447452391 | 390µH Unshielded Wirewound Inductor 1A 520 mOhm Max Radial | 7447452391.pdf | |
 | 1782-31J | 3µH Unshielded Molded Inductor 270mA 850 mOhm Max Axial | 1782-31J.pdf | |
 | RCP2512W75R0GEB | RES SMD 75 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512W75R0GEB.pdf | |
| AA1206FR-079R76L | RES SMD 9.76 OHM 1% 1/4W 1206 | AA1206FR-079R76L.pdf | |
 | PE0805FRF070R04L | RES SMD 0.04 OHM 1% 1/8W 0805 | PE0805FRF070R04L.pdf | |
 | CMF50140R00FHEK | RES 140 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50140R00FHEK.pdf | |
| P51-200-S-T-M12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-S-T-M12-4.5V-000-000.pdf |
