ON Semiconductor NVMFD5875NLT3G
- 제조업체 부품 번호
- NVMFD5875NLT3G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NVMFD5875NLT3G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 468.32380
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NVMFD5875NLT3G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NVMFD5875NLT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFD5875NLT3G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NVMFD5875NLT3G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NVMFD5875NLT3G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFD5875NLT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NVMFD5875NL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 540pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-DFN(5x6) 이중 플래그(SO8FL 이중 비대칭) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFD5875NLT3G | |
| 관련 링크 | NVMFD58, NVMFD5875NLT3G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NVMFD5875NLT3G 의 관련 제품
 | EKMH201VNN102MA35T | 1000µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 249 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | EKMH201VNN102MA35T.pdf | |
 | SR151C472MARTR2 | 4700pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR151C472MARTR2.pdf | |
 | 1206ZZ475MAT2A | 4.7µF 10V 세라믹 커패시터 X7S 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206ZZ475MAT2A.pdf | |
.jpg) | TPSMB39CA | TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC SMB AEQ | TPSMB39CA.pdf | |
 | 445I23E25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I23E25M00000.pdf | |
 | ASTMUPCE-33-156.250MHZ-EJ-E-T3 | 156.25MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCE-33-156.250MHZ-EJ-E-T3.pdf | |
 | STP18NM80 | MOSFET N-CH 800V 17A TO-220 | STP18NM80.pdf | |
 | TXD2SA-9V-4-Z | TX-D RELAY2 FORM C 9V | TXD2SA-9V-4-Z.pdf | |
 | CRCW0402215KFKED | RES SMD 215K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402215KFKED.pdf | |
.jpg) | RT0805DRE0710R5L | RES SMD 10.5 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE0710R5L.pdf | |
.jpg) | RT0603CRC072K4L | RES SMD 2.4KOHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRC072K4L.pdf | |
 | CMF5551K000FHEA | RES 51K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5551K000FHEA.pdf |
