ON Semiconductor NVMFS4841NWFT1G
- 제조업체 부품 번호
- NVMFS4841NWFT1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 89A SO8FL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NVMFS4841NWFT1G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 598.60933
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NVMFS4841NWFT1G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NVMFS4841NWFT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS4841NWFT1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NVMFS4841NWFT1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NVMFS4841NWFT1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFS4841NWFT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NVMFS4841N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1436pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFS4841NWFT1G | |
| 관련 링크 | NVMFS48, NVMFS4841NWFT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NVMFS4841NWFT1G 의 관련 제품
 | 100ZLH68MEFC8X20 | 68µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C | 100ZLH68MEFC8X20.pdf | |
 | ARR06B105KWS | 1µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.300" L x 0.100" W(7.62mm x 2.54mm) | ARR06B105KWS.pdf | |
 | 24FB4470-F | 70µF Film Capacitor 440V Polypropylene (PP), Metallized Radial, Can 2.625" Dia (66.68mm), Lip | 24FB4470-F.pdf | |
 | DSC1103AE1-212.5000T | 212.5MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 32mA Standby (Power Down) | DSC1103AE1-212.5000T.pdf | |
 | RM 1C | DIODE GEN PURP 1KV 800MA AXIAL | RM 1C.pdf | |
 | TC2320TG-G | MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC | TC2320TG-G.pdf | |
 | 744901115 | 15nH Unshielded Thin Film Inductor 130mA 1.8 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | 744901115.pdf | |
 | FVTS05R2E900R0JE | RES CHAS MNT 900 OHM 5% 5W | FVTS05R2E900R0JE.pdf | |
.jpg) | RT0805CRD07590KL | RES SMD 590K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRD07590KL.pdf | |
-TNP-SERIES.jpg) | TNPW0805604KBEEA | RES SMD 604K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805604KBEEA.pdf | |
 | RNF14FTC41R2 | RES 41.2 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTC41R2.pdf | |
| E3ZM-CR86 | SENSOR PHOTOELECTRIC 4M M8 CONN | E3ZM-CR86.pdf |
