창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVMFS4C05NWFT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NVMFS4C05N(WF) | |
PCN 설계/사양 | Enlarged Clip Implementation 15/Jan/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24.7A(Ta), 116A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1972pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.61W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NVMFS4C05NWFT3G | |
관련 링크 | NVMFS4C, NVMFS4C05NWFT3G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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DRA74-1R0-R | 1µH Shielded Wirewound Inductor 6.01A 7.8 mOhm Nonstandard | DRA74-1R0-R.pdf | ||
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![]() | RG3216V-1000-W-T1 | RES SMD 100 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216V-1000-W-T1.pdf | |
![]() | Y162436R5000B9W | RES SMD 36.5 OHM 0.1% 1/5W 0805 | Y162436R5000B9W.pdf | |
![]() | CMF5513K300DHEA | RES 13.3K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF5513K300DHEA.pdf |