창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5833NWFT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NVMFS5833N(WF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1714pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NVMFS5833NWFT3G | |
관련 링크 | NVMFS58, NVMFS5833NWFT3G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | UP050CH101J-A-BZ | 100pF 50V 세라믹 커패시터 C0H 축방향 0.087" Dia x 0.126" L(2.20mm x 3.20mm) | UP050CH101J-A-BZ.pdf | |
![]() | BSC039N06NS | MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8 | BSC039N06NS.pdf | |
![]() | 2510-56K | 22µH Unshielded Inductor 100mA 4.7 Ohm Max Nonstandard | 2510-56K.pdf | |
![]() | SP1008-822G | 8.2µH Shielded Wirewound Inductor 271mA 1.54 Ohm Max Nonstandard | SP1008-822G.pdf | |
![]() | ERJ-B2AJ562V | RES SMD 5.6K OHM 3/4W 1206 WIDE | ERJ-B2AJ562V.pdf | |
![]() | RT0805CRD0715K8L | RES SMD 15.8KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRD0715K8L.pdf | |
![]() | RT0805WRD0716R2L | RES SMD 16.2 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRD0716R2L.pdf | |
![]() | RT0805WRB07348RL | RES SMD 348 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRB07348RL.pdf | |
![]() | RG1005V-2870-P-T1 | RES SMD 287 OHM 0.02% 1/16W 0402 | RG1005V-2870-P-T1.pdf | |
![]() | RC12JB3M90 | RES 3.9M OHM 1/2W 5% AXIAL | RC12JB3M90.pdf | |
![]() | TH72016KLD-CAA-000-SP | RF Transmitter ASK, FSK 433MHz 10dBm 40kbps 10-VFDFN Exposed Pad | TH72016KLD-CAA-000-SP.pdf |