ON Semiconductor NVMFS5834NLT3G

NVMFS5834NLT3G
제조업체 부품 번호
NVMFS5834NLT3G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 40V 75A SO8FL
Datesheet 다운로드
다운로드
NVMFS5834NLT3G 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 481.96400
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of NVMFS5834NLT3G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NVMFS5834NLT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS5834NLT3G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
NVMFS5834NLT3G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NVMFS5834NLT3G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NVMFS5834NLT3G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서NTMFS5834NL
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C14A(Ta), 75A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs9.3m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs24nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1231pF @ 20V
전력 - 최대3.6W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력TDFN
공급 장치 패키지5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6)
표준 포장 5,000
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)NVMFS5834NLT3G
관련 링크NVMFS58, NVMFS5834NLT3G Datasheet, ON Semiconductor Distributor
NVMFS5834NLT3G 의 관련 제품
560µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 355 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C 380LQ561M450A452.pdf
47µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C UKW1V470MDD.pdf
4.7µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C B41022A7475M.pdf
0.047µF 250VAC 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.125" W(4.50mm x 3.20mm) GA243DR7E2473MW01L.pdf
1.8µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm) MKP383518100JPI4T0.pdf
22µF Film Capacitor 1100V (1.1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 1.378" W (57.50mm x 35.00mm) 226MHBS60K2R.pdf
20MHz ±15ppm 수정 8pF 80옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) CX2520DB20000D0GPSC1.pdf
1mH Shielded Wirewound Inductor 630mA 1.06 Ohm Max Nonstandard 7847709102.pdf
15µH Unshielded Inductor 79mA 4.2 Ohm Max 2-SMD 108R-153JS.pdf
RES SMD 1 OHM 5% 1/8W 0402 SR0402JR-7W1RL.pdf
RES SMD 41.2K OHM 0.1% 1/8W 0805 RT0805BRB0741K2L.pdf
RES 330 OHM .4W .01% RADIAL Y0706330R000T9L.pdf