ON Semiconductor NVMFS5C673NLT3G
- 제조업체 부품 번호
- NVMFS5C673NLT3G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V SO8FL
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NVMFS5C673NLT3G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 463.72280
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NVMFS5C673NLT3G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NVMFS5C673NLT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS5C673NLT3G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NVMFS5C673NLT3G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NVMFS5C673NLT3G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFS5C673NLT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NVMFS5C673NL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.2m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 35µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 880pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFS5C673NLT3G | |
| 관련 링크 | NVMFS5C, NVMFS5C673NLT3G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NVMFS5C673NLT3G 의 관련 제품
 | MAL215371229E3 | 22µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1.2 Ohm @ 100kHz 3000 Hrs @ 105°C | MAL215371229E3.pdf | |
.jpg) | CGA2B2X8R1E103K050BD | 10000pF 25V 세라믹 커패시터 X8R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B2X8R1E103K050BD.pdf | |
 | VJ1808A181KBRAT4X | 180pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A181KBRAT4X.pdf | |
 | 445I32L12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 12pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32L12M00000.pdf | |
 | SIT9002AC-33N33DQ | 1MHz ~ 220MHz CML MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 51mA | SIT9002AC-33N33DQ.pdf | |
 | IPP100N04S204AKSA1 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | IPP100N04S204AKSA1.pdf | |
 | ILBB0402ER300V | 30 Ohm Impedance Ferrite Bead 0402 (1005 Metric) Surface Mount 300mA 1 Lines 200 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | ILBB0402ER300V.pdf | |
 | 7440700220 | 22µH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 200 mOhm Max Nonstandard | 7440700220.pdf | |
| 160R-330KS | 33nH Unshielded Inductor 1.295A 75 mOhm Max 2-SMD | 160R-330KS.pdf | |
 | HS50 5R F | RES CHAS MNT 5 OHM 1% 50W | HS50 5R F.pdf | |
 | MCR18ERTFL2R20 | RES SMD 2.2 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18ERTFL2R20.pdf | |
| TLM2ADR024FTD | RES SMD 0.024 OHM 1% 1/4W 0805 | TLM2ADR024FTD.pdf |
