ON Semiconductor NVMFS6B05NLT1G
- 제조업체 부품 번호
- NVMFS6B05NLT1G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
NVMFS6B05NLT1G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,420.23533
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of NVMFS6B05NLT1G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. NVMFS6B05NLT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS6B05NLT1G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- NVMFS6B05NLT1G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NVMFS6B05NLT1G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NVMFS6B05NLT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | NVMFS6B05NL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | * | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.6m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3980pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | NVMFS6B05NLT1G | |
| 관련 링크 | NVMFS6B, NVMFS6B05NLT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
NVMFS6B05NLT1G 의 관련 제품
 | UWZ1E331MCL1GS | 330µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C | UWZ1E331MCL1GS.pdf | |
 | B41851A4107M8 | 100µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 3.3 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | B41851A4107M8.pdf | |
-Kemet.jpg) | C1206C471J1GACTU | 470pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C471J1GACTU.pdf | |
 | VJ1210A910JBGAT4X | 91pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A910JBGAT4X.pdf | |
 | 0679H0750-01 | FUSE BRD MNT 750MA 350VAC 72VDC | 0679H0750-01.pdf | |
 | ABM2-19.6608MHZ-D4Y-T | 19.6608MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | ABM2-19.6608MHZ-D4Y-T.pdf | |
 | VLS201610ET-100M-CA | 10µH Shielded Wirewound Inductor 420mA 1.38 Ohm Max Nonstandard | VLS201610ET-100M-CA.pdf | |
 | SP1812R-104K | 100µH Shielded Inductor 250mA 3.2 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | SP1812R-104K.pdf | |
 | YC324-FK-075K1L | RES ARRAY 4 RES 5.1K OHM 2012 | YC324-FK-075K1L.pdf | |
 | ERA-S27J471V | RES TEMP SENS 470 OHM 5% 1/10W | ERA-S27J471V.pdf | |
 | LTO050FR0100FTE3 | RES 0.01 OHM 50W 1% TO220 | LTO050FR0100FTE3.pdf | |
 | CP0402A5250FLTR | RF Directional Coupler 5.25GHz 3W 0402 (1005 Metric) | CP0402A5250FLTR.pdf |
