창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVMFS6B05NLWFT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NVMFS6B05NL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | * | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.6m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3980pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NVMFS6B05NLWFT3G | |
관련 링크 | NVMFS6B0, NVMFS6B05NLWFT3G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | 1206GA150KAT1A | 15pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206GA150KAT1A.pdf | |
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![]() | ECS-41-16-7S-TR | 4.096MHz ±30ppm 수정 16pF 150옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SOJ, 9.40mm 피치 | ECS-41-16-7S-TR.pdf | |
![]() | SBR60A60CT | DIODE ARRAY SBR 60V 30A TO220AB | SBR60A60CT.pdf | |
![]() | B78108S1182K | 1.8µH Unshielded Wirewound Inductor 1.03A 220 mOhm Max Axial | B78108S1182K.pdf | |
![]() | CRCW0805120RFKEA | RES SMD 120 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805120RFKEA.pdf | |
![]() | MCR03EZPJ474 | RES SMD 470K OHM 5% 1/10W 0603 | MCR03EZPJ474.pdf | |
![]() | TNPW040214K3BETD | RES SMD 14.3KOHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW040214K3BETD.pdf | |
![]() | 4816P-4-101 | RES ARRAY 8 RES 100 OHM 16SOIC | 4816P-4-101.pdf | |
![]() | CPCC105R000KE32 | RES 5 OHM 10W 10% RADIAL | CPCC105R000KE32.pdf | |
![]() | E3Z-R81-M1TJ 0.3M | SENSOR PHOTOELECTRIC 100MM 4M | E3Z-R81-M1TJ 0.3M.pdf |