창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVMFS6B14NLT3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NVMFS6B14NL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta), 55A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1680pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NVMFS6B14NLT3G | |
관련 링크 | NVMFS6B, NVMFS6B14NLT3G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | CGA8K1X7R3D222K130KA | 2200pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | CGA8K1X7R3D222K130KA.pdf | |
![]() | VJ0805D151JXPAR | 150pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D151JXPAR.pdf | |
![]() | AIML-0805-1R8K-T | 1.8µH Shielded Multilayer Inductor 50mA 600 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | AIML-0805-1R8K-T.pdf | |
![]() | SDR0403-151KL | 150µH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 3.4 Ohm Max Nonstandard | SDR0403-151KL.pdf | |
![]() | AC1206JR-073M6L | RES SMD 3.6M OHM 5% 1/4W 1206 | AC1206JR-073M6L.pdf | |
![]() | RT0402FRE0726K7L | RES SMD 26.7K OHM 1% 1/16W 0402 | RT0402FRE0726K7L.pdf | |
![]() | RT0603CRC076K8L | RES SMD 6.8KOHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRC076K8L.pdf | |
![]() | RG1608P-2101-W-T5 | RES SMD 2.1KOHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608P-2101-W-T5.pdf | |
![]() | TNPW06031K65BETA | RES SMD 1.65KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW06031K65BETA.pdf |