창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVTFS4C06NTWG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NVTFS4C06N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1683pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NVTFS4C06NTWG | |
관련 링크 | NVTFS4, NVTFS4C06NTWG Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | MCH185A201JK | 200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | MCH185A201JK.pdf | |
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![]() | 173D684X9050VE3 | 0.68µF Molded Tantalum Capacitors 50V Axial 0.110" Dia x 0.290" L (2.79mm x 7.37mm) | 173D684X9050VE3.pdf | |
![]() | PFRA.800 | FUSE PTC 8.00A 30V RESET RADIAL | PFRA.800.pdf | |
![]() | ES1DE-TP | DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC | ES1DE-TP.pdf | |
DHG20I1200PA | DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC | DHG20I1200PA.pdf | ||
![]() | MCH3479-TL-W | MOSFET N-CH 20V 3.5A MCPH3 | MCH3479-TL-W.pdf | |
![]() | RE1206FRE07274RL | RES SMD 274 OHM 1% 1/4W 1206 | RE1206FRE07274RL.pdf | |
![]() | RT1210WRB075K49L | RES SMD 5.49KOHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRB075K49L.pdf | |
![]() | MNR18E0APJ560 | RES ARRAY 8 RES 56 OHM 1506 | MNR18E0APJ560.pdf | |
HLSR 32-P | Current Sensor 32A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional Module | HLSR 32-P.pdf |