창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NVTFS5811NLWFTAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NVTFS5811NL | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.7m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1570pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-WDFN(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NVTFS5811NLWFTAG | |
관련 링크 | NVTFS581, NVTFS5811NLWFTAG Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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CDR6D23MNNP-4R2NC | 4.2µH Shielded Inductor 2.05A 52.5 mOhm Max Nonstandard | CDR6D23MNNP-4R2NC.pdf | ||
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![]() | CRGH1206F69K8 | RES SMD 69.8K OHM 1% 1/2W 1206 | CRGH1206F69K8.pdf | |
![]() | RT0805BRC0769R8L | RES SMD 69.8 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRC0769R8L.pdf | |
![]() | D5154-000002-001BD | Pressure Sensor 14.5 PSI (100 kPa) Differential Male - 1/4" (6.35mm) BSPP 4 mA ~ 20 mA Cylinder | D5154-000002-001BD.pdf |