창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NX1255GB-7.372800MHZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | NX1255GB, GC | |
카탈로그 페이지 | 1717 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 수정 | |
제조업체 | NDK | |
계열 | NX1255GB | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | MHz 수정 | |
주파수 | 7.3728MHz | |
주파수 안정도 | ±50ppm | |
주파수 허용 오차 | ±50ppm | |
부하 정전 용량 | 12pF | |
등가 직렬 저항(ESR) | 120옴 | |
작동 모드 | 기본 | |
작동 온도 | -10°C ~ 70°C | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.465" L x 0.217" W(11.80mm x 5.50mm) | |
높이 | 0.104"(2.65mm) | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 644-1006-2 NX1255GB-7.372800MHZ-STD-CSA-1 NX1255GB7372800MHZ | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | NX1255GB-7.372800MHZ | |
관련 링크 | NX1255GB-7, NX1255GB-7.372800MHZ Datasheet, NDK Distributor |
![]() | EET-UQ2G271DA | 270µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 737 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | EET-UQ2G271DA.pdf | |
![]() | D229C20C0JF63J5R | 2.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0J 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | D229C20C0JF63J5R.pdf | |
![]() | 0603YA200JAT2A | 20pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 0603YA200JAT2A.pdf | |
![]() | C1206C472MDRACTU | 4700pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C472MDRACTU.pdf | |
![]() | TC4H407K010LBSB0823 | 400µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2-SMD, J-Lead 0.308" L x 0.320" W (7.82mm x 8.13mm) | TC4H407K010LBSB0823.pdf | |
![]() | TMOV20RP460ML2B7 | VARISTOR 750V 10KA DISC 20MM | TMOV20RP460ML2B7.pdf | |
![]() | 445A23G27M00000 | 27MHz ±20ppm 수정 30pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A23G27M00000.pdf | |
![]() | 416F40635CST | 40.61MHz ±30ppm 수정 시리즈 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40635CST.pdf | |
![]() | FXO-LC735-160 | 160MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 100mA Enable/Disable | FXO-LC735-160.pdf | |
![]() | 36501J51NJTDG | 51nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 280 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | 36501J51NJTDG.pdf | |
![]() | ERA-6AEB2150V | RES SMD 215 OHM 0.1% 1/8W 0805 | ERA-6AEB2150V.pdf | |
![]() | HMC802ALP3E | RF Attenuator 20dB ±0.2dB 0 ~ 1GHz 16-VQFN Exposed Pad | HMC802ALP3E.pdf |