창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-ON5452,518 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 934063298518 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
트랜지스터 유형 | - | |
주파수 | - | |
이득 | - | |
전압 - 테스트 | - | |
정격 전류 | - | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | - | |
전력 - 출력 | - | |
전압 - 정격 | - | |
패키지/케이스 | - | |
공급 장치 패키지 | - | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | ON5452,518 | |
관련 링크 | ON545, ON5452,518 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | K123K10X7RF5TH5 | 0.012µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K123K10X7RF5TH5.pdf | |
![]() | VJ1210Y331MXGAT5Z | 330pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | VJ1210Y331MXGAT5Z.pdf | |
![]() | 445C22B12M00000 | 12MHz ±20ppm 수정 13pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C22B12M00000.pdf | |
![]() | VS-2EMH01-M3/5AT | DIODE HF 100V 2A DO214AC | VS-2EMH01-M3/5AT.pdf | |
![]() | BZX384C4V7-HE3-08 | DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD323 | BZX384C4V7-HE3-08.pdf | |
![]() | 103-470J | 47nH Unshielded Inductor 820mA 145 mOhm Max 2-SMD | 103-470J.pdf | |
![]() | G3J-T205BL-C DC12-24 | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) | G3J-T205BL-C DC12-24.pdf | |
![]() | RC0603DR-0711K3L | RES SMD 11.3KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RC0603DR-0711K3L.pdf | |
![]() | MBA02040C8451FRP00 | RES 8.45K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C8451FRP00.pdf | |
![]() | Y1445100R000F0L | RES 100 OHM 0.6W 1% RADIAL | Y1445100R000F0L.pdf | |
![]() | HMC408LP3 | RF Amplifier IC HiperLAN, UNII 5.1GHz ~ 5.9GHz 16-SMT (3x3) | HMC408LP3.pdf |