창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PA4341.102NLT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PA4341.yyyNLT Series Datasheet | |
종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
제품군 | 고정 인덕터 | |
제조업체 | Pulse Electronics Corporation | |
계열 | PA4341NLT | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
유형 | 성형 | |
소재 - 코어 | - | |
유도 용량 | 1µH | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전류 | 11A | |
전류 - 포화 | 22A | |
차폐 | 차폐 | |
DC 저항(DCR) | 10m옴최대 | |
Q @ 주파수 | - | |
주파수 - 자기 공진 | - | |
등급 | AEC-Q200 | |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
주파수 - 테스트 | 100kHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 비표준 | |
크기/치수 | 0.299" L x 0.272" W(7.60mm x 6.90mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.118"(3.00mm) | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 553-2992-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PA4341.102NLT | |
관련 링크 | PA4341, PA4341.102NLT Datasheet, Pulse Electronics Corporation Distributor |
![]() | C317C390J2G5TA | 39pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.120" W(3.81mm x 3.05mm) | C317C390J2G5TA.pdf | |
![]() | VJ1206Y331JXGAT5Z | 330pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | VJ1206Y331JXGAT5Z.pdf | |
![]() | B32620A6392J289 | 3900pF Film Capacitor 400V 630V Polypropylene (PP), Metallized - Stacked Radial | B32620A6392J289.pdf | |
![]() | MKP385316100JDI2B0 | 0.016µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | MKP385316100JDI2B0.pdf | |
![]() | MOV-20D271KTR | VARISTOR 270V 6.5KA DISC 20MM | MOV-20D271KTR.pdf | |
![]() | FXO-HC535R-35.328 | 35.328MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC535R-35.328.pdf | |
![]() | SDB104-TP | DIODE BRIDGE 1A 400V SDB-1 | SDB104-TP.pdf | |
![]() | CTX200-2P-R | Unshielded 2 Coil Inductor Array 806.34µH Inductance - Connected in Series 201.59µH Inductance - Connected in Parallel 951 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 460mA Nonstandard | CTX200-2P-R.pdf | |
![]() | ISC1210EB1R8K | 1.8µH Shielded Wirewound Inductor 350mA 850 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210EB1R8K.pdf | |
![]() | SDS680R-822M | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 0.58mA 65 mOhm Nonstandard | SDS680R-822M.pdf | |
![]() | RT0805CRE076K49L | RES SMD 6.49KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRE076K49L.pdf | |
![]() | TNPW2010453KBEEY | RES SMD 453K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010453KBEEY.pdf |