창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PAT0603E2151BST1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PAT Series Datasheet | |
제품 교육 모듈 | PAT Series Overview | |
주요제품 | PAT Series Thin Film Chip Resistors | |
PCN 기타 | TF-002-2014-Rev-0 04/Feb/2014 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Vishay Thin Film | |
계열 | PAT | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 2.15k | |
허용 오차 | ±0.1% | |
전력(와트) | 0.15W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 황화 방지, 자동차 AEC-Q200 자격 취득, 내습성 | |
온도 계수 | ±25ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0603 | |
크기/치수 | 0.064" L x 0.032" W(1.63mm x 0.81mm) | |
높이 | 0.018"(0.46mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PAT0603E2151BST1 | |
관련 링크 | PAT0603E, PAT0603E2151BST1 Datasheet, Vishay Thin Film Distributor |
K151K15X7RK53L2 | 150pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K151K15X7RK53L2.pdf | ||
02016D103KAT2A | 10000pF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | 02016D103KAT2A.pdf | ||
B88069X4960T502 | GDT 230V 20% 10KA THROUGH HOLE | B88069X4960T502.pdf | ||
SMBG40CAHE3/5B | TVS DIODE 40VWM 64.5VC SMB | SMBG40CAHE3/5B.pdf | ||
FD0200013 | 2.048MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 15mA Enable/Disable | FD0200013.pdf | ||
SIT9121AC-1CF-25E120.000000Y | OSC XO 2.5V 120MHZ | SIT9121AC-1CF-25E120.000000Y.pdf | ||
SIT9002AI-28N33SD | 1MHz ~ 220MHz LVDS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 85mA Standby | SIT9002AI-28N33SD.pdf | ||
1N751A-1 | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 | 1N751A-1.pdf | ||
ASPI-6045S-221M-T | 220µH Shielded Wirewound Inductor 590mA 834 mOhm Nonstandard | ASPI-6045S-221M-T.pdf | ||
RG2012P-4990-W-T5 | RES SMD 499 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012P-4990-W-T5.pdf | ||
CMF072M7000JNRE | RES 2.7M OHM 1/2W 5% AXIAL | CMF072M7000JNRE.pdf | ||
E-TA2012 T 4DB N2 | RF Attenuator 4dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 4DB N2.pdf |