창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PBSS4260QAZ | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PBSS4260QA | |
주요제품 | DFN1010 Transistors in a 1.1 mm² Leadless Plastic Package | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 2A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 60V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 190mV @ 50mA, 1A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 40 @ 2A, 2V | |
전력 - 최대 | 325mW | |
주파수 - 트랜지션 | 180MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-XDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | DFN1010D-3 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 568-12680-2 PBSS4260QAZ-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PBSS4260QAZ | |
관련 링크 | PBSS4, PBSS4260QAZ Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | GRM0336T1E680GD01D | 68pF 25V 세라믹 커패시터 T2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336T1E680GD01D.pdf | |
![]() | ATS124SM-1E | 12.296MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS124SM-1E.pdf | |
![]() | 416F370X3CAR | 37MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F370X3CAR.pdf | |
![]() | 416F40612AKR | 40.61MHz ±10ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40612AKR.pdf | |
![]() | SH50V-0.9-330 | 330µH Unshielded Toroidal Inductor 900mA 740 mOhm Max Radial | SH50V-0.9-330.pdf | |
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