창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PBSS4350X,135 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PBSS4350X | |
제품 교육 모듈 | BISS Transistors | |
주요제품 | NXP - I²C Interface | |
PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Transistors 8 inch Wafer 18/Feb/2014 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 3A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 370mV @ 300mA, 3A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 300 @ 1A, 2V | |
전력 - 최대 | 1.6W | |
주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-243AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-89-3 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 568-6796-2 934055628135 PBSS4350X /T3 PBSS4350X /T3-ND PBSS4350X,135-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PBSS4350X,135 | |
관련 링크 | PBSS43, PBSS4350X,135 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | 0230002.MXP | FUSE GLASS 2A 250VAC 125VDC 2AG | 0230002.MXP.pdf | |
![]() | MA-506 18.8690M-C0 | 18.869MHz ±50ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-506 18.8690M-C0.pdf | |
![]() | 402F20011CDR | 20MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F20011CDR.pdf | |
![]() | 445I32G25M00000 | 25MHz ±30ppm 수정 30pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32G25M00000.pdf | |
![]() | ABLJO-V-200.000MHZ | 200MHz LVCMOS VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 40mA | ABLJO-V-200.000MHZ.pdf | |
![]() | RT1210DRD071K82L | RES SMD 1.82K OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD071K82L.pdf | |
![]() | RR01J3K3TB | RES 3.30K OHM 1W 5% AXIAL | RR01J3K3TB.pdf | |
![]() | NA2-N8 | SENSOR PROX 8CH 5M 12-24VDC NPN | NA2-N8.pdf |