창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PBSS5260PAP,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PBSS5260PAP | |
주요제품 | Double Transistors in DFN2020-6 Packages | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 PNP(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 2A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 60V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 110 @ 1A, 2V | |
전력 - 최대 | 510mW | |
주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-UDFN 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 6-HUSON(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-10209-2 934066891115 PBSS5260PAP | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PBSS5260PAP,115 | |
관련 링크 | PBSS526, PBSS5260PAP,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | 0805YC473JAT4A | 0.047µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 0805YC473JAT4A.pdf | |
![]() | CC0805MKX5R7BB106 | 10µF 16V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CC0805MKX5R7BB106.pdf | |
![]() | TAJB475M035H | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 35V 1210 (3528 Metric) 3.1 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TAJB475M035H.pdf | |
![]() | TRJE107K020RRJ | 100µF Molded Tantalum Capacitors 20V 2917 (7343 Metric) 300 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TRJE107K020RRJ.pdf | |
![]() | TMPG06-10AHE3/54 | TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC AXIAL | TMPG06-10AHE3/54.pdf | |
![]() | RG 2V | DIODE GEN PURP 400V 1.2A AXIAL | RG 2V.pdf | |
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![]() | AISC-1210H-331K-T | 330µH Unshielded Wirewound Inductor 60mA 18.9 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | AISC-1210H-331K-T.pdf | |
![]() | ERJ-S12F5603U | RES SMD 560K OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-S12F5603U.pdf | |
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