NXP Semiconductors PBSS5580PA,115
- 제조업체 부품 번호
- PBSS5580PA,115
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일
- 간단한 설명
- TRANS PNP 80V 4A SOT1061
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PBSS5580PA,115 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PBSS5580PA,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | Discrete Semiconductor Selection Guide PBSS5580PA | |
| 주요제품 | NXP - I²C Interface | |
| PCN 설계/사양 | Copper Bond Wire 16/Sep/2014 Copper Bond Wire 27/Nov/2014 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 4A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 80V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 420mV @ 200mA, 4A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 140 @ 2A, 2V | |
| 전력 - 최대 | 2.1W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 110MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-UDFN, 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 3-HUSON(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-6418-2 934063925115 PBSS5580PA,115-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PBSS5580PA,115 | |
| 관련 링크 | PBSS558, PBSS5580PA,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
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