STMicroelectronics PD20010STR-E
.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- PD20010STR-E
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- RF FET
- 간단한 설명
- TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
PD20010STR-E 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 15,496.51000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of PD20010STR-E, we specialize in all series STMicroelectronics electronic components. PD20010STR-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PD20010STR-E, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- PD20010STR-E 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PD20010STR-E 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PD20010STR-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PD20010-E | |
| 기타 관련 문서 | PD20010-E View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | RF Power and RF Power Transistors Dynamic NFC / RFID Tag | |
| 카탈로그 페이지 | 1542 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 2GHz | |
| 이득 | 11dB | |
| 전압 - 테스트 | 13.6V | |
| 정격 전류 | 5A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 150mA | |
| 전력 - 출력 | 10W | |
| 전압 - 정격 | 40V | |
| 패키지/케이스 | PowerSO-10RF 노출된 하단 패드(2 직선 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | PowerSO-10RF(직선 리드(Lead)) | |
| 표준 포장 | 600 | |
| 다른 이름 | 497-10095-2 PD20010STR-E-ND PD20010STRE | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PD20010STR-E | |
| 관련 링크 | PD2001, PD20010STR-E Datasheet, STMicroelectronics Distributor | |
PD20010STR-E 의 관련 제품
 | 04023A1R2DAT2A | 1.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04023A1R2DAT2A.pdf | |
 | 2225GC223MAT1A\SB | 0.022µF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) | 2225GC223MAT1A\SB.pdf | |
 | JWK316BJ106KD-T | 10µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 0612(1632 미터법) 0.063" L x 0.126" W(1.60mm x 3.20mm) | JWK316BJ106KD-T.pdf | |
 | G43270021 | 32.768kHz ±20ppm 수정 12.5pF 50k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD | G43270021.pdf | |
.jpg) | 8Y24070003 | 24MHz ±10ppm 수정 10pF -20°C ~ 75°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Y24070003.pdf | |
 | 1N5951AP/TR12 | DIODE ZENER 120V 1.5W DO204AL | 1N5951AP/TR12.pdf | |
 | MLG0603S4N3ST000 | 4.3nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 400 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603S4N3ST000.pdf | |
| HM65-P1R2LFTR13 | 1.2µH Unshielded Wirewound Inductor 18A 2.5 mOhm Max Nonstandard | HM65-P1R2LFTR13.pdf | |
.jpg) | AT0603BRD0734K8L | RES SMD 34.8KOHM 0.1% 1/10W 0603 | AT0603BRD0734K8L.pdf | |
.jpg) | AT1206DRE073K65L | RES SMD 3.65K OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRE073K65L.pdf | |
 | CMF6010K000FKEK64 | RES 10K OHM 1W 1% AXIAL | CMF6010K000FKEK64.pdf | |
 | TMP01ES | IC SENSOR TEMP/CONTROLLER 8SOIC | TMP01ES.pdf |
