NXP Semiconductors PDTD114EUF
- 제조업체 부품 번호
- PDTD114EUF
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS PREBIAS NPN 0.425W
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
PDTD114EUF 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 63.25860
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of PDTD114EUF, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. PDTD114EUF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PDTD114EUF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- PDTD114EUF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PDTD114EUF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PDTD114EUF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PDTD1zzzU Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 225MHz | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-70 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 934068346135 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PDTD114EUF | |
| 관련 링크 | PDTD1, PDTD114EUF Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
PDTD114EUF 의 관련 제품
 | SA101C472JAR | 4700pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA101C472JAR.pdf | |
 | VJ0805D510KXXAJ | 51pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D510KXXAJ.pdf | |
 | TLCK106M003QTA | 10µF Molded Tantalum Capacitors 3V 0402 (1005 Metric) 15 Ohm 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) | TLCK106M003QTA.pdf | |
 | ABM8G-28.63636MHZ-B4Y-T | 28.63636MHz ±30ppm 수정 10pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8G-28.63636MHZ-B4Y-T.pdf | |
 | 7W-17.734475MBE-T | 17.734475MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 20mA Enable/Disable | 7W-17.734475MBE-T.pdf | |
 | ASTMHTFL-19.200MHZ-ZR-E | 19.2MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-19.200MHZ-ZR-E.pdf | |
 | GP2D012A065A | DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2 | GP2D012A065A.pdf | |
 | PLZ27A-HG3/H | DIODE ZENER 27V 500MW DO219AC | PLZ27A-HG3/H.pdf | |
 | ERA-2AEB76R8X | RES SMD 76.8 OHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2AEB76R8X.pdf | |
 | RMCF0805FT31R6 | RES SMD 31.6 OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FT31R6.pdf | |
 | USF370-9.90M-0.1%-5PPM | RES 9.9M OHM 3/4W 0.1% RADIAL | USF370-9.90M-0.1%-5PPM.pdf | |
| MBA02040C1050FC100 | RES 105 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1050FC100.pdf |
