창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PDZ8.2B,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PDZ-B Series | |
PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 Copper Bond Wire 26/Oct/2013 Copper Bond Wire 14/Dec/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Carrier Tape Design Chg 03/May/2016 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-6457-2 934054857115 PDZ8.2B T/R PDZ8.2B T/R-ND PDZ8.2B,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PDZ8.2B,115 | |
관련 링크 | PDZ8., PDZ8.2B,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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APTM100H45SCTG | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 | APTM100H45SCTG.pdf | ||
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