창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PESD5V0H1BSFYL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PESD5V0H1BSF | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | TrEOS | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 1 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V(최대) | |
전압 - 항복(최소) | 6V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 5V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 7A(8/20µs) | |
전력 - 피크 펄스 | - | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 0.15pF @ 1MHz | |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C(TA) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | DSN0603-2 | |
표준 포장 | 9,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PESD5V0H1BSFYL | |
관련 링크 | PESD5V0, PESD5V0H1BSFYL Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | 135D187X9025F2 | 180µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 25V Axial 2.7 Ohm 0.296" Dia x 0.641" L (7.52mm x 16.28mm) | 135D187X9025F2.pdf | |
![]() | 9C-11.0592MBBK-T | 11.0592MHz ±50ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | 9C-11.0592MBBK-T.pdf | |
![]() | 445W3XE30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W3XE30M00000.pdf | |
![]() | AZ23B3V0-G3-08 | DIODE ZENER 3V 300MW SOT23 | AZ23B3V0-G3-08.pdf | |
![]() | 36502C2R7JTDG | 2.7µH Unshielded Wirewound Inductor 290mA 3.2 Ohm Max Nonstandard | 36502C2R7JTDG.pdf | |
![]() | ERJ-S03F2322V | RES SMD 23.2K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F2322V.pdf | |
![]() | CRGH2010F261R | RES SMD 261 OHM 1% 1W 2010 | CRGH2010F261R.pdf | |
![]() | 4610X-AP1-821LF | RES ARRAY 9 RES 820 OHM 10SIP | 4610X-AP1-821LF.pdf | |
![]() | PWR220T-20-1002J | RES 10K OHM 20W 5% TO220 | PWR220T-20-1002J.pdf |