창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PESD5V0S2BT,215 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PESD5V0S2BT Series | |
제품 교육 모듈 | ESD Protection Diodes ESD Standards and Products | |
PCN 설계/사양 | Copper Bond Wire 09/Jun/2013 Resin Hardener 02/Jul/2013 Copper Bond Wire 02/Sep/2013 Wafer Fab Process/Location Chg 9/Apr/2016 Wafer Design Chg 13/Jun/2016 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1506 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 2 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 5V(최대) | |
전압 - 항복(최소) | 5.5V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 14V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 12A(8/20µs) | |
전력 - 피크 펄스 | 130W | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | 35pF @ 1MHz | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TA) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-4056-2 934058007215 PESD5V0S2BT T/R PESD5V0S2BT T/R-ND PESD5V0S2BT215 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PESD5V0S2BT,215 | |
관련 링크 | PESD5V0, PESD5V0S2BT,215 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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AQ12EM0R4BATME | 0.40pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EM0R4BATME.pdf | ||
ECQ-E1125JF | 1.2µF Film Capacitor 100V Polyester, Metallized Radial 0.728" L x 0.217" W (18.50mm x 5.50mm) | ECQ-E1125JF.pdf | ||
SIT8008BI-21-33E-2.048000D | OSC XO 3.3V 2.048MHZ | SIT8008BI-21-33E-2.048000D.pdf | ||
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