Pulse Electronics Corporation PG0063.105NLT
- 제조업체 부품 번호
- PG0063.105NLT
- 제조업 자
- Pulse Electronics Corporation
- 제품 카테고리
- 고정 인덕터
- 간단한 설명
- 1mH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 11.34 Ohm Max Nonstandard
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
PG0063.105NLT 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 708.57067
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of PG0063.105NLT, we specialize in all series Pulse Electronics Corporation electronic components. PG0063.105NLT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PG0063.105NLT, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- PG0063.105NLT 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PG0063.105NLT 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PG0063.105NLT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PG0063 Series | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | Pulse Electronics Corporation | |
| 계열 | PG0063 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 권선 | |
| 소재 - 코어 | - | |
| 유도 용량 | 1mH | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전류 | 120mA | |
| 전류 - 포화 | 120mA | |
| 차폐 | 비차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 11.34옴최대 | |
| Q @ 주파수 | - | |
| 주파수 - 자기 공진 | - | |
| 등급 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 130°C | |
| 주파수 - 테스트 | 100kHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 비표준 | |
| 크기/치수 | 0.244" L x 0.244" W(6.20mm x 6.20mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.098"(2.50mm) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PG0063.105NLT | |
| 관련 링크 | PG0063, PG0063.105NLT Datasheet, Pulse Electronics Corporation Distributor | |
PG0063.105NLT 의 관련 제품
 | CBR04C200J5GAC | 20pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CBR04C200J5GAC.pdf | |
 | GJM0225C1E150JB01L | 15pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GJM0225C1E150JB01L.pdf | |
| 170M6790 | FUSE 1250A 1250V 23BKN/75AR | 170M6790.pdf | |
 | 445I23A14M31818 | 14.31818MHz ±20ppm 수정 10pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I23A14M31818.pdf | |
 | QS8K21TR | MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8 | QS8K21TR.pdf | |
 | AIML-0603-100K-T | 10µH Shielded Multilayer Inductor 3mA 2.55 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | AIML-0603-100K-T.pdf | |
 | AISC-0603-R018J-T | 18nH Unshielded Wirewound Inductor 550mA 150 mOhm Max Nonstandard | AISC-0603-R018J-T.pdf | |
| 4232R-821J | 820nH Unshielded Wirewound Inductor 294mA 1.4 Ohm Max 2-SMD | 4232R-821J.pdf | |
 | AC1206FR-0797R6L | RES SMD 97.6 OHM 1% 1/4W 1206 | AC1206FR-0797R6L.pdf | |
 | RG1005N-5231-B-T5 | RES SMD 5.23KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005N-5231-B-T5.pdf | |
| H41K02BYA | RES 1.02K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H41K02BYA.pdf | |
| Y00151K00000T19L | RES 1K OHM 1/4W 0.01% AXIAL | Y00151K00000T19L.pdf |
