창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PHB21N06LT,118 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PHB,PHD,PHP21N06LT | |
PCN 조립/원산지 | Alternative Leadframe Supplier 17/Jun/2014 | |
PCN 포장 | Reel Trailer Update 08/May/2015 Reel Trailer Revision 14/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.4nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 56W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | 568-5939-2 934054570118 PHB21N06LT /T3 PHB21N06LT /T3-ND PHB21N06LT,118-ND PHB21N06LT118 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PHB21N06LT,118 | |
관련 링크 | PHB21N0, PHB21N06LT,118 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | LQW18AN30NG80D | 30nH Unshielded Wirewound Inductor 1.1A 120 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQW18AN30NG80D.pdf | |
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![]() | Y472515R0000B0L | RES 15 OHM 3/4W 0.1% AXIAL | Y472515R0000B0L.pdf | |
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![]() | P51-100-S-U-I12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-S-U-I12-4.5OVP-000-000.pdf |