창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PHB27NQ10T,118 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | PHB27NQ10T | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1240pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 107W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | 568-5940-2 934055809118 PHB27NQ10T /T3 PHB27NQ10T /T3-ND PHB27NQ10T,118-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | PHB27NQ10T,118 | |
관련 링크 | PHB27NQ, PHB27NQ10T,118 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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AA-10.000MAME-T | 10MHz ±30ppm 수정 12pF 150옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | AA-10.000MAME-T.pdf | ||
![]() | 416F52033ISR | 52MHz ±30ppm 수정 시리즈 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52033ISR.pdf | |
![]() | ACH4518-103-TD01 | LC (T-Type) EMI Filter 3rd Order Low Pass 1 Channel 2A 1812 (4532 Metric), 3 PC Pad | ACH4518-103-TD01.pdf | |
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![]() | YC164-JR-07120KL | RES ARRAY 4 RES 120K OHM 1206 | YC164-JR-07120KL.pdf | |
![]() | MS46SR-14-350-Q1-10X-10R-NC-AN | SYSTEM | MS46SR-14-350-Q1-10X-10R-NC-AN.pdf |