NXP Semiconductors PHD38N02LT,118

PHD38N02LT,118
제조업체 부품 번호
PHD38N02LT,118
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 20V 44.7A DPAK
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PHD38N02LT,118 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PHD38N02LT,118
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서PHD38N02LT
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열TrenchMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 2.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C44.7A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs16m옴 @ 25A, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs15.1nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds800pF @ 20V
전력 - 최대57.6W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK
표준 포장 2,500
다른 이름934057587118
PHD38N02LT /T3
PHD38N02LT /T3-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)PHD38N02LT,118
관련 링크PHD38N0, PHD38N02LT,118 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor
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